7N Teluria Kristala Kresko kaj Purigo

Novaĵoj

7N Teluria Kristala Kresko kaj Purigo

7N Teluria Kristala Kresko kaj Purigo


I. Antaŭtraktado de Krudmaterialo kaj Antaŭpurigo

  1. ‌Selektado kaj Dispremado de Krudmaterialoj‌
  • ‌Materialaj PostulojUzu teluran ercon aŭ anodan ŝlimon (Te-enhavo ≥5%), prefere kuprofandan anodan ŝlimon (enhavanta Cu₂Te, Cu₂Se) kiel krudmaterialon.
  • ‌Antaŭtraktada Procezo:
  • Kruda dispremado ĝis partikla grandeco ≤5mm, sekvata de pilkmuelado ĝis ≤200 maŝoj;
  • Magneta apartigo (magneta kampa intenseco ≥0.8T) por forigi Fe, Ni kaj aliajn magnetajn malpuraĵojn;
  • Flotado per ŝaŭmo (pH=8-9, ksantataj kolektantoj) por apartigi SiO₂, CuO, kaj aliajn nemagnetajn malpuraĵojn.
  • ‌AntaŭzorgojEvitu enkonduki humidon dum malseka antaŭtraktado (postulas sekigadon antaŭ rostado); kontrolu ĉirkaŭan humidecon ≤30%.
  1. ‌Pirometalurgia Rostado kaj Oksidigo‌
  • ‌Procezaj Parametroj:
  • Oksidada rosttemperaturo: 350–600 °C (ŝtupa kontrolo: malalta temperaturo por desulfurigo, alta temperaturo por oksidigo);
  • Rostadotempo: 6–8 horoj, kun O₂-fluo de 5–10 L/min;
  • Reakciaĵo: Koncentrita sulfata acido (98% H₂SO₄), masa proporcio Te₂SO₄ = 1:1,5.
  • ‌Kemia Reakcio:
    Cu2Te+2O2+2H2SO4→2CuSO4+TeO2+2H2OCu2​Te+2O2​+2H2​SO4​→2CuSO4​+TeO2​+2H2​O
  • ‌AntaŭzorgojKontrolu temperaturon ≤600°C por malhelpi volatiliĝon de TeO₂ (bolpunkto 387°C); traktu ellasgason per NaOH-frotiloj.

II. Elektro-rafinado kaj Vakua Distilado

  1. ‌Elektro-rafinado‌
  • ‌Elektrolita Sistemo:
  • Elektrolita konsisto: H₂SO₄ (80–120g/L), TeO₂ (40–60g/L), aldonaĵo (ĝelateno 0,1–0,3g/L);
  • Temperaturregulado: 30–40°C, cirkulada flukvanto 1,5–2 m³/h.
  • ‌Procezaj Parametroj:
  • Kurenta denseco: 100–150 A/m², ĉeltensio 0,2–0,4V;
  • Interspaco inter elektrodoj: 80–120 mm, dikeco de la katodo 2–3 mm/8 h;
  • Efikeco de forigo de malpuraĵoj: Cu ≤5ppm, Pb ≤1ppm.
  • ‌AntaŭzorgojRegule filtru elektroliton (precizeco ≤1μm); meĥanike poluri anodajn surfacojn por malhelpi pasivigon.
  1. ‌Vakua Distilado‌
  • ‌Procezaj Parametroj:
  • Vakua nivelo: ≤1×10⁻²Pa, distila temperaturo 600–650°C;
  • Temperaturo de la kondensilo-zono: 200–250 °C, Te-vapora kondensada efikeco ≥95%;
  • Distila tempo: 8–12 horoj, unuopa aro kapacito ≤50 kg.
  • ‌Malpuraĵa DistribuoMalalt-bolantaj malpuraĵoj (Se, S) akumuliĝas ĉe la fronto de la kondensilo; alt-bolantaj malpuraĵoj (Pb, Ag) restas en restaĵoj.
  • ‌AntaŭzorgojAntaŭpumpu la vakuosistemon ĝis ≤5×10⁻³Pa antaŭ varmigo por malhelpi Te-oksidiĝon.

III. Kristala kresko (direkta kristaliĝo)

  1. ‌Ekipaĵa Agordo‌
  • ‌Modeloj de Kristalaj Kreskaj FornojTDR-70A/B (kapacito 30kg) aŭ TRDL-800 (kapacito 60kg);
  • Materialo de la fandujo: Altpureca grafito (cindroenhavo ≤5ppm), dimensioj Φ300 × 400mm;
  • Hejtadmetodo: Grafita rezistanco hejtado, maksimuma temperaturo 1200 °C.
  1. ‌Procezaj Parametroj‌
  • ‌Fandada Kontrolo:
  • Fandotemperaturo: 500–520 °C, fandbasenprofundo 80–120 mm;
  • Protekta gaso: Ar (pureco ≥99.999%), flukvanto 10–15 L/min.
  • ‌Kristaliĝaj Parametroj:
  • Tirrapideco: 1–3 mm/h, kristala rotacia rapido 8–12 rpm;
  • Temperatura gradiento: Aksa 30–50 °C/cm, radiala ≤10 °C/cm;
  • Malvarmigmetodo: Akvomalvarmigita kupra bazo (akvotemperaturo 20–25 °C), supra radia malvarmigo.
  1. ‌Malpuraĵa Kontrolo‌
  • ‌Apartiga EfikoMalpuraĵoj kiel Fe, Ni (apartigkoeficiento <0.1) akumuliĝas ĉe grenlimoj;
  • ‌Refandaj Cikloj3–5 cikloj, finaj totalaj malpuraĵoj ≤0.1ppm.
  1. ‌Antaŭzorgoj:
  • Kovru la fanditan surfacon per grafitaj platoj por subpremi la volatiliĝon de Te (perdoprocento ≤0.5%);
  • Monitori kristalan diametron en reala tempo uzante laserajn mezurilojn (precizeco ±0.1mm);
  • Evitu temperaturfluktuojn >±2°C por malhelpi pliiĝon de dislokacia denseco (celo ≤10³/cm²).

IV. Kvalitkontrolo kaj Ŝlosilaj Metrikoj

Testa Objekto

Norma Valoro

Testmetodo

Fonto

‌Pureco‌

≥99.99999% (7N)

ICP-MS

‌Totalaj Metalaj Malpuraĵoj‌

≤0.1ppm

GD-MS (Lumo-Malŝarga Masa Spektrometrio)

‌Oksigena Enhavo‌

≤5ppm

Inerta Gasa Fuzio-IR-Absorbo

‌Kristala Integreco‌

Denseco de Dislokacio ≤10³/cm²

Rentgen-topografio

‌Rezistiveco (300K)‌

0,1–0,3Ω·cm

Kvar-sonda metodo


V. Protokoloj pri Medio kaj Sekureco

  1. ‌Traktado de ellasgasoj:
  • Rostado-degaso: Neŭtraligu SO₂ kaj SeO₂ per NaOH-frotpurigiloj (pH≥10);
  • Vakuodistila ellaso: Kondensi kaj reakiri Te-vaporon; restaj gasoj adsorbitaj per aktivigita karbono.
  1. ‌Reciklado de skorio:
  • Anoda ŝlimo (enhavanta Ag, Au): Reakiri per hidrometalurgio (H₂SO₄-HCl sistemo);
  • Elektrolizaj restaĵoj (entenantaj Pb, Cu): Revenu al kupro-fandaj sistemoj.
  1. ‌Sekurecaj Mezuroj:
  • Funkciigistoj devas porti gasmaskojn (Te-vaporo estas toksa); konservi negativan preman ventoladon (aerinterŝanĝa rapideco ≥10 cikloj/h).

Gvidlinioj pri Proceza Optimumigo

  1. ‌Adaptiĝo de Krudmaterialo‌: Adaptu la rosttemperaturon kaj acidan proporcion dinamike surbaze de la fontoj de anodaj ŝlimoj (ekz., kupro kontraŭ plumbofandado);
  2. ‌Kristala Tirada Indico-AkordigoAdaptu la tirrapidecon laŭ la fandkonvekcio (nombro de Reynolds Re≥2000) por subpremi konstitucian supermalvarmigon;
  3. ‌Energia EfikecoUzu du-temperaturan zonan hejtadon (ĉefa zono 500 °C, subzono 400 °C) por redukti la energikonsumon de grafita rezisto je 30%.

Afiŝtempo: 24-a de marto 2025